junction-gate FET

См. также в других словарях:

• junction-gate FET — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор …   Radioelektronikos terminų žodynas

• junction-gate field-effect transistor — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Junction Field Effect Transistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… …   Deutsch Wikipedia

• p-n junction FET — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Sperrschicht-FET — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Junction Field Effect Transistor — Schémas de principe d un JFET à canal N Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et… …   Wikipédia en Français

• Sperrschicht-FET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… …   Deutsch Wikipedia

• Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… …   Wikipedia

• MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia